英諾賽科（珠海）科技有限公司

英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與制造的高新技術企業，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產業鏈模式，建立了全球首條產能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產線。 公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成，我們相信GaN可以改變世界，我們的目標是以更低的價格，向客戶提供品質一流、可靠性優異的GaN器件，并且實現GaN技術在市場的廣泛應用。

英諾賽科（Innoscience）創立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產業鏈模式，集設計、研發、生產和銷售為一體氮化鎵（GaN ）的生產基地。

公司成立之初，英諾賽科的創始人就深知，如果想實現氮化鎵技術在市場上的廣泛應用，產品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規模推廣，還需要解決另外三個痛點：首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規模量產能力，以應對市場的爆發。第三，要確保器件供應鏈穩定，有了穩定的貨源供應，客戶可以全心全意投入產品和系統的開發，無需擔心因氮化鎵器件供應戰略的變化而導致停產。因此，Innoscience 明白，只有擴大 GaN 器件的產能并擁有自主可控的生產線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進行大規模推廣的三個痛點（價格、數量和供應安全）。

從一開始，英諾賽科就戰略性地將采用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數量比6英寸晶圓多80%。同時，英諾賽科采用C-MOS工藝，以便將多年來在三極管生產領域積累的經驗和優化措施應用在氮化鎵晶圓的生產工藝中。

今天，英諾賽科已實現了最初的規劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，采用最先進的8英寸生產工藝，是全球產能最高的氮化鎵器件廠商。

目前，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產能達到每月15000片，并將逐漸擴大至每月70000片以上。