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硅光芯片，代工大戰(zhàn)

轉：在AI大模型向千億、萬億參數(shù)迭代的浪潮之下，算力需求迎來指數(shù)級爆發(fā)，而數(shù)據(jù)中心的高速互聯(lián)瓶頸，正成為制約AI性能突破的關鍵。傳統(tǒng)的電信號傳輸逐漸受限于能耗與距離瓶頸，難以支撐AI模型訓練所需的龐大資料流量。當傳輸速率突破400Gbps并向800Gbps乃至1.6Tbps演進，銅導線的物理特性導致信號衰減嚴重，能耗急劇上升。對此，產業(yè)界普遍認為，利用光子代替電子進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓韫庾蛹夹g，是解決高

2026-03-03 LH 340

芯馳萬里馬到功成|量伙半導體祝您新春快樂！

公眾號喜訊 | 量伙半導體獲評2025上海市專精特新中小企業(yè)！

2026-02-24 LH 164

先進封裝技術介紹--高帶寬架構（HBF，High Bandwidth Fabrics）

轉：一，HBF高帶寬架構工藝定義： HBF是High Bandwidth Fabrics的縮寫，直譯為“高帶寬架構”。它是一種由英特爾提出并主導的先進封裝技術和互連標準。其核心目標是在一個封裝內，將多個芯片（如計算芯片、內存、I/O芯片等）通過一個超高帶寬、低功耗、低延遲的片上互連網(wǎng)絡連接起來，形成一個高性能的“超級芯片”。簡單理解：HBF 就像是在一個“微型主板”上，為各個芯片構建了一個超級

2026-02-09 LH 326

HBF將超過HBM，閃存巨大利好

轉：有預測稱，計劃于明年實現(xiàn)商業(yè)化的下一代 NAND 閃存產品——高帶寬閃存 (HBF)，將在大約 10 年內超越高帶寬存儲器 (HBM) 市場，而 HBM 是人工智能半導體的核心組件。2月3日，韓國科學技術院（KAIST）電氣電子工程系金正浩教授在首爾中區(qū)新聞中心舉行了“HBF研究內容和技術開發(fā)戰(zhàn)略簡報會”，并強調“隨著人工智能的思考和推理能力變得重要，以及從文本界面向語音界面的過渡，所需的數(shù)據(jù)

2026-02-05 LH 216

什么是MPW

轉1）為什么會有 MPW？做一顆芯片，要去晶圓廠（foundry）把電路“印”到硅片上。這個過程最貴、最關鍵的一樣東西叫光罩（Mask）。光罩像什么？像“印刷用的鋼板/膠片模板”你要在硅片上印幾十層圖案，就要幾十張模板這些模板制作成本非常高，而且是一次性為你的設計定制的所以問題來了：你只是想先做個樣片驗證一下（比如幾十顆、幾百顆），但光罩錢就可能要花一大筆。那對初創(chuàng)公司、學校、研發(fā)部門來說太肉疼了

2026-01-19 LH 479

CES 2026展場直擊：RGB Mini LED、Micro LED全場景滲透

轉：美國時間1月6日，CES 2026消費電子展在拉斯維加斯正式開幕。在中大尺寸顯示領域，RGB Mini LED背光與Micro LED成為顯示行業(yè)聚焦的兩大熱門技術，各家企業(yè)基于以上技術，展出了大尺寸電視、車載顯示到商業(yè)顯示等多種形態(tài)的產品。圖片來源：CES電視：2026年成為RGB Mini LED普及元年在電視領域，TCL、海信、三星、兆馳、LG等企業(yè)發(fā)布了搭載最新技術的高端機型。其中，R

2026-01-07 LH 323

量伙半導體祝您2026新年快樂！

開啟2026新年

2026-01-05 LH 165

FinFET晶體管的發(fā)展歷程與技術原理

轉：逍遙設計自動化晶體管技術的演進是現(xiàn)代工程學中最引人注目的成就之一。在過去幾十年中,半導體行業(yè)以非凡的一致性遵循著摩爾定律,大約每兩年將晶體管密度提高一倍。這種進步推動了計算能力的指數(shù)級增長,改變了整個世界——從服務少數(shù)用戶的大型計算機發(fā)展到數(shù)十億人手中的智能手機。然而,當晶體管尺寸接近先進技術節(jié)點所需的納米級尺寸時,基本物理限制開始威脅進一步的發(fā)展。FinFET的出現(xiàn)為這些挑戰(zhàn)提供了優(yōu)雅的解決

2025-12-15 LH 446