28nm以上產(chǎn)能，中國(guó)大陸占比29%

市場(chǎng)預(yù)估2024年中將開(kāi)始量產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體中，中國(guó)將占全球3成半導(dǎo)體生產(chǎn)能力。

臺(tái)積電熊本廠開(kāi)始量產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體雖較先進(jìn)制程半導(dǎo)體落后，但被廣泛應(yīng)用在如汽車、產(chǎn)業(yè)機(jī)器等領(lǐng)域，在經(jīng)濟(jì)安全保障上可說(shuō)是重要戰(zhàn)略物資。

東亞各國(guó)及地區(qū)在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈扮演重要角色。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在先進(jìn)制程半導(dǎo)體、韓國(guó)在存儲(chǔ)器，以及日本在原材料、制造設(shè)備方面各具優(yōu)勢(shì)。近年中國(guó)大陸在成熟半導(dǎo)體制程方面開(kāi)始逐漸加大力度，可能擁有全球2至3成的生產(chǎn)能力。

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)市場(chǎng)調(diào)查公司表示，中國(guó)大陸2023年在汽車產(chǎn)業(yè)等大量需要28納米以上之成熟制程半導(dǎo)體，目前已占全球生產(chǎn)能力之29%，僅次于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)之49%，預(yù)計(jì)2027年中國(guó)大陸占比將增加至33%。

在美國(guó)對(duì)先進(jìn)制程半導(dǎo)體實(shí)施出口管制的同時(shí)，中國(guó)大陸開(kāi)始采購(gòu)大量設(shè)備并獎(jiǎng)勵(lì)投資成熟制程半導(dǎo)體生產(chǎn)。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)，2023年對(duì)中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造設(shè)備之出貨金額超過(guò)300億美元，高于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)。在存儲(chǔ)器領(lǐng)域具優(yōu)勢(shì)的韓國(guó)也開(kāi)始加強(qiáng)有關(guān)人工智能（AI）半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)以及進(jìn)行設(shè)備、材料的國(guó)產(chǎn)化，影響經(jīng)濟(jì)安全的戰(zhàn)略物資競(jìng)爭(zhēng)即將展開(kāi)。

中國(guó)大陸引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)擴(kuò)張

此前SEMI于1月2日發(fā)布《世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》，報(bào)告顯示全球半導(dǎo)體每月晶圓（WPM）產(chǎn)能在2023年增長(zhǎng)5.5%至2960萬(wàn)片后，預(yù)計(jì)2024年將增長(zhǎng)6.4%，首次突破每月3000萬(wàn)片大關(guān)（以200mm當(dāng)量計(jì)算）。

機(jī)構(gòu)認(rèn)為，2024年的增長(zhǎng)將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能、HPC（高性能計(jì)算）在內(nèi)的應(yīng)用的產(chǎn)能增長(zhǎng)以及芯片終端需求的復(fù)蘇推動(dòng)。

根據(jù)SEMI報(bào)告，從2022年至2024年，全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃開(kāi)始運(yùn)營(yíng)82個(gè)新晶圓廠，其中包括2023年的11個(gè)項(xiàng)目和2024年的42個(gè)項(xiàng)目，晶圓尺寸從300mm到100mm不等（12英寸至4英寸）。

機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)大陸半導(dǎo)體廠商2023年產(chǎn)能同比增長(zhǎng)12%，達(dá)到每月760萬(wàn)片晶圓。預(yù)計(jì)中國(guó)大陸芯片制造商將在2024年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)18個(gè)項(xiàng)目，2024年產(chǎn)能同比增加13%，達(dá)到每月860萬(wàn)片晶圓。

分產(chǎn)品領(lǐng)域看，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域2023年產(chǎn)能擴(kuò)張放緩，2023年每月產(chǎn)能僅增加2%，達(dá)到每月380萬(wàn)片晶圓，2024年將增加5%達(dá)到每月400萬(wàn)片。3D NAND的裝機(jī)容量預(yù)計(jì)在2023年將持平于每月360萬(wàn)片晶圓，2024年將增長(zhǎng)2%，達(dá)到每月370萬(wàn)片晶圓。

分立元件和模擬芯片領(lǐng)域，車輛電氣化仍然是產(chǎn)能擴(kuò)張的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。其中分立元件芯片產(chǎn)能2023年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)10%，達(dá)到每月410萬(wàn)片晶圓，2024年將繼續(xù)增長(zhǎng)7%達(dá)到每月440萬(wàn)片。模擬芯片產(chǎn)能預(yù)計(jì)2023年增長(zhǎng)11%，為210萬(wàn)片，2024年將增長(zhǎng)10%達(dá)到240萬(wàn)片。

RTP,RTA,RTO,快速退火爐RTP,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備,sic碳化硅退火,GaN氮化鎵退火,Si硅片晶圓快速退火,LED芯片退火設(shè)備,離子注入退火