集成電路自動8寸快速退火爐RTP
產地：中國
型號：S801
簡介（Description）：
S801系列自動快速退火爐，內置Robot可以自動取放片，適用于最大8英寸（單片200mm*200mm）及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等（包括但不限于，砷化鎵，碳化硅，氮化鎵等各類襯底和外延片），擁有出色的熱源和結構設計，可以定制多腔體滿足產線產能規劃。獨有專利的溫度控制系統，能更為精準進行溫控操作，可視化軟件平臺，也實時對溫度進行監控并矯正，保證工藝的穩定性和重復性。雙面加熱方式與單面加熱相比，可以大幅減小圖案加載效應，晶片上的熱的均勻性將更好。多路氣體配置（可定制更多），配置真空腔體，整機通過Semi認證。設備國產化率達到90%，配件渠道豐富。
定義（Definition）：
快速熱處理（RTP）設備是一種單片熱處理設備，可以將晶圓的溫度快速升至工藝所需溫度（200-1300℃），并且能夠快速降溫，升/降溫度速率約20-250℃。RTP設備還具有其他優良的工藝性能，如極佳的熱預算和更好的表面均勻性，尤其對大尺寸的晶圓片。多用于修復離子注入后的損傷，多腔體規格可以同時運行不同的工藝過程。
名詞解釋RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。
名詞解釋RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化，主要用于生長薄絕緣層。
名詞解釋RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。
推薦適用場景：碳化硅氮化鎵等化合物外延制造，IGBT、MOSFET功率器件研發制造，MEMS研發制造,LED芯片，miniLED，microLED等。
設備規格（Specifications）：
1、全自動操作模式（腔體內配置進口主流Robot，與一線頂級自動化設備同規格產品，高效，穩定，故障率低）；
2、Robot取放片（全程在腔內Robot傳遞wafer進行熱處理，避免污染，自動化程度高，節省人工）；
3、適應于 2英寸-8英寸 Wafer；（單腔體最大滿足200mm*200mm材料進行加熱處理）；
4、冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃；
5、MFC控制，3-5路制程氣體;
6、SEMI認證（整體通過Semi認證，符合半導體行業國際要求）。
設備主要工藝應用（Application）：
●快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
●離子注入/接觸退火；
●高溫退火；
●高溫擴散;
●金屬合金；
●熱氧化處理。
設備主要應用領域（Field）：
●化合物半導體（磷化銦、砷化鎵、氮化物、碳化硅等）；
●多晶硅；
●太陽能電池片；
●MEMS等傳感器；
●二極管、MOSFET及IGBT等功率器件；
●LED、CMOS等光電器件；
●IC晶圓。
