SiC碳化硅激光退火設備
產地：中國
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簡介（Description）：
碳化硅(SiC)材料的寬禁帶、高熱導率、高飽和電子漂移速度、高擊穿電場等特性決定了其在高溫、大功率領域的巨大潛力。為了使SiC材料的性能能夠得到充分發揮，目前需解決的一個關鍵問題是歐姆接觸的制備。
傳統制備SiC晶圓歐姆接觸的方法是在襯底表面沉積金屬電極層后進行高溫熱退火。但是，傳統的高溫熱退火工藝在減薄襯底中存在著很多不足，如:退火范圍不可控、襯底與沉積金屬間容易發生侵蝕、影響界面形貌和物質分布均勻性等問題。因此，行業中需要一種退火局域化及退火深度可控的新型退火方案。
量伙的SiC晶圓激光退火設備，通過利用高均一性激光整形系統，對重摻雜SiC晶圓表面沉積的過渡金屬進行退火，制備良好均一的歐姆接觸，是制備高性能SiC晶圓工藝制程的重要一環。激光退火技術局域化和深度可控的優秀特性，適用于SiC減薄晶圓的退火處理，有效地克服傳統高溫熱退火工藝的痛難點。同時，其微/納秒量級的退火升溫速度，極高地保證了SiC晶圓金屬-半導體界面C,Si,Ni三種元素的均勻分布，獲得比傳統高溫熱退火工藝更加穩定、均勻的歐姆接觸。
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設備規格（ Specifications）：
1、支持6&8 inch，標準片&薄片&鍵合片&翹曲片；
2、雙臂伯努利機械手；
3、紫外DPSS激光器，能量密度≥10J/cm2；
4、密封腔體，氮氣&抽排，建立時間< 25s @100ppm；
5、比接觸電阻率~10-5?·cm2；
6、退火均勻性<2%(3σ)
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